Kısmi yük yenileme tekniği ile satırdarbesi önleme mekanizmalarının performansının iyileştirilmesi / (Record no. 200462552)

MARC details
000 -LEADER
fixed length control field 06094nam a2200481 i 4500
001 - CONTROL NUMBER
control field 200462552
003 - CONTROL NUMBER IDENTIFIER
control field TR-AnTOB
005 - DATE AND TIME OF LATEST TRANSACTION
control field 20240926113055.0
007 - PHYSICAL DESCRIPTION FIXED FIELD--GENERAL INFORMATION
fixed length control field ta
008 - FIXED-LENGTH DATA ELEMENTS--GENERAL INFORMATION
fixed length control field 171111s2024 xxu e mmmm 00| 0 eng d
035 ## - SYSTEM CONTROL NUMBER
System control number (TR-AnTOB)200462552
040 ## - CATALOGING SOURCE
Original cataloging agency TR-AnTOB
Language of cataloging eng
Description conventions rda
Transcribing agency TR-AnTOB
041 0# - LANGUAGE CODE
Language code of text/sound track or separate title Türkçe
099 ## - LOCAL FREE-TEXT CALL NUMBER (OCLC)
Classification number TEZ TOBB FBE BİL YL’24 TUĞ
100 1# - MAIN ENTRY--PERSONAL NAME
Personal name Tuğrul, Yahya Can
Relator term author
9 (RLIN) 147122
245 10 - TITLE STATEMENT
Title Kısmi yük yenileme tekniği ile satırdarbesi önleme mekanizmalarının performansının iyileştirilmesi /
Statement of responsibility, etc. Yahya Can Tuğrul; thesis advisor Oğuz Ergin.
246 13 - VARYING FORM OF TITLE
Title proper/short title Partial charge restoration technique to improve the performance of rowhammer mitigation mechanisms
264 #1 - PRODUCTION, PUBLICATION, DISTRIBUTION, MANUFACTURE, AND COPYRIGHT NOTICE
Place of production, publication, distribution, manufacture Ankara :
Name of producer, publisher, distributor, manufacturer TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü,
Date of production, publication, distribution, manufacture, or copyright notice 2024.
300 ## - PHYSICAL DESCRIPTION
Extent xiv, 62 pages :
Other physical details illustrations ;
Dimensions 29 cm
336 ## - CONTENT TYPE
Content type term text
Content type code txt
Source rdacontent
337 ## - MEDIA TYPE
Media type term unmediated
Media type code n
Source rdamedia
338 ## - CARRIER TYPE
Carrier type term volume
Carrier type code nc
Source rdacarrier
502 ## - DISSERTATION NOTE
Dissertation note Tez (Yüksek Lisans)--TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü Ağustos 2024
520 ## - SUMMARY, ETC.
Summary, etc. Modern DRAM çiplerinde gerçekleşen okuma hataları, bellek yalıtımını bozabilen yaygın bir zayıflıktır. Bellek yalıtımı, bellek güvenliği ve güvenilirliğinin temel yapı taşlarından biridir. SatırDarbesi zafiyeti, DRAM'deki okuma hatalarına önemli bir örnektir; burada DRAM hücrelerinin bir satırına (DRAM satırı) tekrar tekrar erişmek (darbeleme), fiziksel olarak yakın DRAM satırlarında (kurban satırlar) bit hatalarına neden olur. Ne yazık ki, teknoloji düğüm boyutunun küçülmesi SatırDarbesi zafiyetini kötüleştirir ve böylece, daha yeni DRAM çip nesillerinde daha az erişim yaparak SatırDarbesi bit hataları oluşturulabilir. Güvenilir DRAM kullanımı için, son teknoloji SatırDarbesi önleme mekanizmaları potansiyel kurban satırlardaki DRAM hücrelerinin yükünü yeniler (önleyici yenileme ya da yük yenileme). Gerçekleştirilen bu önleyici yenileme operasyonu DRAM çipini bir süre kilitleyerek performans kayıplarına yol açar. Daha yeni DRAM çip nesilleri ile bu mekanizmalar önleyici yenilemeyi daha sık gerçekleştirir ve daha büyük performans kayıplarına neden olur. Güvenilirlik ve güvenlikten ödün vermeden bu kaybı azaltmak için bizim amacımız, önleyici yenileme için harcanan zamanı azaltmak ve bu azaltılmış zamanın SatırDarbe zafiyeti üzerindeki etkisini anlamaktır. Bu amaçla, gerçek DRAM çiplerinde veri tutma süresi, yük yenileme ve SatırDarbesi zafiyetinin özellikleri arasındaki etkileşimlere dair ilk kapsamlı deneysel çalışmayı sunuyoruz. Üç büyük DRAM üreticisinden toplam 388 DDR4 DRAM çipini test ediyoruz ve bir yük yenileme operasyonunun gecikmesinin önemli ölçüde azaltılabileceğini (%64 oranında) ve dolayısıyla, biraz daha fazla (%0,54 oranında) önleyici yenileme operasyonu gerektireceğini gözlemliyoruz. Bu gözlemimizi kullanarak, yük yenileme gecikmesini dinamik olarak ayarlayan, mevcut SatırDarbesi önleme mekanizmalarının saldırganlığını düzenleyen ve bellek kontrolcüsü tabanlı düşük maliyetli bir mekanizma olan Kısmi Yük Yenileme ile Agresif Önleme'yi (PaCRAM) öneriyoruz. PaCRAM'i beş son teknoloji SatırDarbesi önleme mekanizması ile kullanarak önleme mekanizmalarının performans (enerji) kayıplarını sırasıyla ortalama olarak %18,95 (%14,59), %12,28 (%11,56), %2,07 (%1,15), %2,56 (%2,18) ve %5,37 (%4,50) oranında azaltarak sistem performansını ve enerji verimliliğini önemli ölçüde artırıyoruz.
Summary, etc. Read disturbance in modern DRAM chips is a widespread weakness that is used for breaking memory isolation, one of the fundamental building blocks of security and privacy in memory. RowHammer is a prime example of read disturbance in DRAM where repeatedly accessing (hammering) a row of DRAM cells (DRAM row) induces bitflips in physically nearby DRAM rows (victim rows). Unfortunately, shrinking technology node size exacerbates RowHammer and as such, significantly fewer accesses can induce bitflips with newer DRAM chip generations. To ensure reliable DRAM operation, state-of-the-art mitigation mechanisms restore the charge in potential victim rows (i.e., preventive refresh or charge restoration). With newer DRAM chip generations, these mechanisms perform preventive refresh more aggressively and cause larger performance overheads. To reduce this overhead without sacrificing reliability, security, and safety, our goal is to reduce time spent for preventive refreshes and understand this reduced time's impact on RowHammer. To this end, we present the first rigorous experimental study on the interactions between data retention time, refresh, and RowHammer characteristics in real DRAM chips. We test 388 DDR4 DRAM chips from three major manufacturers and observe that a preventive refresh operation's latency can be significantly reduced (by 64%) at the expense of requiring slightly more (by 0.54%) preventive refresh operations. To leverage this observation, we propose Partial Charge Restoration for Aggressive Mitigation (PaCRAM), a memory controller-based low-cost mechanism that dynamically tunes the refresh latency and adjusts the aggressiveness of existing RowHammer solutions. PaCRAM significantly improves system performance (energy efficiency) by reducing the overhead induced by five RowHammer solutions by 18.95% (14.59%), 12.28% (11.56%), 2.07% (1.15%), 2.56% (2.18%), and 5.37% (4.50%), on average.
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED
Uncontrolled term Bellek DRAM
Uncontrolled term SatırDarbesi
Uncontrolled term Veri tutma hataları
Uncontrolled term Yük yenileme
Uncontrolled term Önleyici yenileme
Uncontrolled term DRAM karakterizasyonu
Uncontrolled term Memory
Uncontrolled term DRAM
Uncontrolled term RowHammer
Uncontrolled term Data retention failures
Uncontrolled term Charge restoration
Uncontrolled term Preventive refresh
Uncontrolled term DRAM characterization
700 ## - ADDED ENTRY--PERSONAL NAME
Personal name Ergin, Oğuz
9 (RLIN) 36153
Relator term advisor
710 ## - ADDED ENTRY--CORPORATE NAME
Corporate name or jurisdiction name as entry element TOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi.
Subordinate unit Fen Bilimleri Enstitüsü
9 (RLIN) 77078
942 ## - ADDED ENTRY ELEMENTS (KOHA)
Koha item type Thesis
Source of classification or shelving scheme Other/Generic Classification Scheme
Holdings
Withdrawn status Lost status Source of classification or shelving scheme Not for loan Collection code Home library Current library Shelving location Date acquired Source of acquisition Total Checkouts Full call number Barcode Date last seen Copy number Date shelved Koha item type
    Other/Generic Classification Scheme Ödünç Verilemez-Tez / Not For Loan-Thesis Tezler Merkez Kütüphane Merkez Kütüphane Tez Koleksiyonu / Thesis Collection 26/09/2024 Bağış / Donation   TEZ TOBB FBE BİL YL’24 TUĞ TZ01742 26/09/2024 1 26/09/2024 Thesis
Devinim Yazılım Eğitim Danışmanlık tarafından Koha'nın orjinal sürümü uyarlanarak geliştirilip kurulmuştur.