000 01233 a2200349 4500
999 _c200425243
_d25467
001 200425243
003 TR-AnTOB
005 20230908000931.0
008 161107s2016 tu 000 0
040 _aTR-AnTOB
_cTR-AnTOB
041 0 _aeng
099 _aTEZ TOBB FBE BİL YL'16 HAS
100 1 _aHassan, Hasan
_9116221
245 1 0 _aReducing dram access latency by exploiting dram leakage characteristics and common access patterns /
_cHasan Hassan.
260 _aAnkara :
_bTOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü,
_c2016
300 _axix, 47 sayfa ;
_c29 cm.
336 _2rdacontent
_atext
_btxt
337 _2rdamedia
_aunmediated
_bn
338 _2rdacarrier
_avolume
_bnc
502 _aTez (Yüksek Lisans)--TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enst. Ağustos 2016
504 _aIncludes bibliographical references.
650 0 0 _932546
_aTezler, Akademik
650 0 0 _aDissertations, Academic
_932543
653 _aBellek sistemleri
653 _aDevingen rastgele erişimli bellek
653 _aMemory systems
653 _aDynamic random access memory (Dram)
710 2 _aTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi.
_bFen Bilimleri Enstitüsü
_977078
856 _ahttps://tez.yok.gov.tr/
942 _cTEZ
_2z