000 | 01233 a2200349 4500 | ||
---|---|---|---|
999 |
_c200425243 _d25467 |
||
001 | 200425243 | ||
003 | TR-AnTOB | ||
005 | 20230908000931.0 | ||
008 | 161107s2016 tu 000 0 | ||
040 |
_aTR-AnTOB _cTR-AnTOB |
||
041 | 0 | _aeng | |
099 | _aTEZ TOBB FBE BİL YL'16 HAS | ||
100 | 1 |
_aHassan, Hasan _9116221 |
|
245 | 1 | 0 |
_aReducing dram access latency by exploiting dram leakage characteristics and common access patterns / _cHasan Hassan. |
260 |
_aAnkara : _bTOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü, _c2016 |
||
300 |
_axix, 47 sayfa ; _c29 cm. |
||
336 |
_2rdacontent _atext _btxt |
||
337 |
_2rdamedia _aunmediated _bn |
||
338 |
_2rdacarrier _avolume _bnc |
||
502 | _aTez (Yüksek Lisans)--TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enst. Ağustos 2016 | ||
504 | _aIncludes bibliographical references. | ||
650 | 0 | 0 |
_932546 _aTezler, Akademik |
650 | 0 | 0 |
_aDissertations, Academic _932543 |
653 | _aBellek sistemleri | ||
653 | _aDevingen rastgele erişimli bellek | ||
653 | _aMemory systems | ||
653 | _aDynamic random access memory (Dram) | ||
710 | 2 |
_aTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi. _bFen Bilimleri Enstitüsü _977078 |
|
856 | _ahttps://tez.yok.gov.tr/ | ||
942 |
_cTEZ _2z |