000			04239nam a2200433 i 4500
999			_c200459467 _d77679
003			TR-AnTOB
005			20240115135722.0
007			ta
008			171111s2022 xxu e mmmm 00| 0 eng d
035			_a(TR-AnTOB)200459467
040			_aTR-AnTOB _beng _erda _cTR-AnTOB
041	0		_atur
099			_aTEZ TOBB FBE ELE YL’23 ONA
100	1		_aOnay, Selin _eauthor _9144762
245	1	0	_aPlatin ve grafen üst elektrotlu titanyum oksit memristörlerin fabrikasyonu / _cSelin Onay; thesis advisor Itır Köymen.
246	1	3	_aFabrication of titanium oxide memristors with platinum andgraphene top electrodes
264		1	_aAnkara : _bTOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü, _c2024.
300			_axxii, 77 pages : _billustrations ; _c29 cm
336			_atext _btxt _2rdacontent
337			_aunmediated _bn _2rdamedia
338			_avolume _bnc _2rdacarrier
502			_aTez (Yüksek Lisans)--TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü Eylül 2023
520			_aSon yıllarda, biyolojik sinapsların efektif bir şekilde taklit edildiğini gösteren, oldukça umut verici, geçici olmayan bir hafıza cihazı olan memristör üzerinde kapsamlı araştırmalar yapılmıştır. Grafenin hafızalı anahtarlama sistemlerinde üst elektrot olarak uygulanması geleneksel malzemelere ilgi çekici bir alternatif sunar. Karbon türevi bir malzeme olan grafen, dikkate değer bir alan-hacim oranına, biyouyumluluğa, olağanüstü adsorpsiyon yeteneklerine ve mükemmel elektriksel iletkenliğe sahiptir ve bu sayede istenen özelliklere sahip biyosensörlerin üretimi için umut verici bir yol sunar. Bu kapsamda geleneksel bir memristör yapısı ve grafen üst elektrotlu bir memristör yapısının fabrikasyonu ile ilgili bir çalışma yapılmıştır. Geleneksel yapı özellikle modelleme ve devre içi kullanım öngörülerek üretilmiştir, grafen üst elektrotlu yapı ise grafenin özelliklerinden ve memristörün özelliklerinden faydalanarak sensör elde etmek motivasyonuyla üretilmiştir. Üretilen grafen üst elektrotlu mikro cihazlarda, sentezlenen ve transferi yapılan grafenin belli şekillendirmeye tabi tutulduğu yenilikçi bir fabrikasyon metodolojisi kullanılmaktadır. Silikon bir pul üzerinde elektron demeti buharlaştırma, fotolitografi, püskürtme gibi tekniklerin kullanılmasıyla memristif cihazların fabrikasyonu başarılı bir şekilde yapılmıştır.
520			_aIn recent years, extensive research has been conducted on memristors, which are promising and non-volatile memory devices that effectively mimic biological synapses. The application of graphene as the top electrode in memory switching systems offers an interesting alternative to traditional materials. Graphene, a carbon- based material, possesses remarkable attributes such as a high surface-to-volume ratio, biocompatibility, exceptional adsorption capabilities, and excellent electrical conductivity, making it a promising avenue for the production of biosensors with desired properties. Within this scope, a study has been conducted on the fabrication of both a traditional memristor structure and a memristor structure with a graphene top electrode. The traditional structure was produced with a focus on modeling and circuitry applications, while the graphene top electrode structure was motivated by the desire to obtain sensors by harnessing the properties of graphene and memristors. Innovative fabrication methodology involving patterning of synthesized and transferred graphene was employed in the production of micro devices with graphene top electrodes. Fabrication of memristive devices was successfully accomplished using techniques such as electron beam evaporation, photolithography, and sputtering on a silicon wafer.
653			_aGrafen şekillendirilmesi
653			_aGrafen elektrot
653			_aMemristör
653			_aFabrikasyon
653			_aŞekillendirme
653			_aGraphene patterning
653			_aGraphene electrode
653			_aMemristor
653			_aFabrication
653			_aPatterning
700	1		_aKöymen, Itır _9133167 _eadvisor
710			_aTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi. _bFen Bilimleri Enstitüsü _977078
942			_cTEZ _2z